在失误研究显示脑刺激恢复记忆

一个神经科学家团队在宾夕法尼亚大学首次表明,电刺激预计交付当内存失败可以改善人类的大脑的记忆功能。同样的刺激通常成为破坏性的电子脉冲到达时期间有效的记忆功能。

心理学教授研究小组包括迈克尔发起的主要国防高级研究计划局的恢复活动内存程序;高级数据科学家约瑟夫Ezzyat发起的实验室;认知神经调节和丹尼尔Rizzuto主任潘。他们在杂志上发表他们的发现当代生物学。

这项工作是一个重要的一步恢复活动内存的长期目标,四年国防部项目旨在开发下一代技术,改善记忆功能在患有内存的损失。这说明了一个重要的恰当的深度——之间的联系大脑刺激和其潜在的疗效。

到这一点,宾夕法尼亚大学团队首先必须理解和解码信号模式,对应于记忆的高点和低点函数。

“通过应用机器学习方法在广泛的位置在整个电信号测量人类的大脑第一论文作者Ezzyat说,“我们能够识别的神经活动,表明当给定的病人会有失误的记忆编码。”

使用这个模型,发起的团队研究了如何刺激不同的影响在贫穷与有效的记忆功能。这项研究涉及神经外科患者在医院接受治疗癫痫,宾夕法尼亚大学的托马斯·杰斐逊大学医院,Dartmouth-Hitchcock医学中心的埃默里大学医院,德克萨斯大学西南,梅奥诊所,哥伦比亚大学,国立卫生研究院临床中心和华盛顿大学的。参与者被要求学习和回忆常用单词列表,接收的安全水平脑刺激。

在这个过程中,潘队记录电活动从患者的大脑植入电极作为常规临床护理的一部分。这些录音的生物标志物识别成功的记忆功能,发生在大脑活动模式有效地创造新的记忆。

“我们发现,当电刺激到达期间有效的内存,内存恶化,”发起的说。“但是当电刺激到达的时候可怜的功能,显著提高记忆。”

大脑中发起的将它比作交通模式:刺激大脑在备份恢复正常交通。

获得洞察这一过程可能会提高许多类型的患者的生命,尤其是那些创伤性脑损伤或神经系统疾病,如阿尔茨海默氏症。“技术基于这种类型的刺激,”女儿说,“可能在内存性能产生有意义的成果,但仍需进行更多的研究工作从概念到实际的治疗平台。”

去年11月,RAM团队公开发布了一个广泛的颅内大脑记录和刺激的数据集,包括超过1000小时的150名患者的数据执行记忆任务。

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